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SSM6L40TU(TE85L,F)

更新时间： 2024-09-23 21:11:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
9页 233K
描述
TRANSISTOR TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,30V V(BR)DSS,1.6A I(D),SOT-363VAR, FET General Purpose Small Signal

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SSM6L40TU(TE85L,F) 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.76最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高工作温度：150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SSM6L40TU(TE85L,F) 数据手册

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SSM6L40TU  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type  
SSM6L40TU  
○Power Management Switch Applications  
○High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
2.1±0.1  
•
N-ch: 4.0-V drive  
P-ch: 4.0 -V drive  
N-ch, P-ch, 2-in-1  
1.7±0.1  
•
•
Low ON-resistance Q1 N-ch: R = 182 mΩ (max) (@V  
= 4 V)  
1
2
3
6
5
4
on  
GS  
GS  
GS  
GS  
R
on  
= 122 mΩ (max) (@V  
= 10 V)  
= -4 V)  
= -10 V)  
Q2 P-ch: R = 403 mΩ (max) (@V  
on  
R
on  
= 226 mΩ (max) (@V  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
30  
±20  
1.6  
3.2  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
4.Source2  
5.Gate2  
1.Source1  
2.Gate1  
DC  
I
D
Drain current  
A
6.Drain1  
3.Drain2  
Pulse  
I
DP  
UF6  
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
JEDEC  
JEITA  
―
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
―
V
V
−30  
±20  
V
V
DSS  
TOSHIBA  
2-2T1B  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
I
−1.4  
−2.8  
Weight: 7.0 mg (typ.)  
D
Drain current  
A
Pulse  
I
DP  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristics  
Symbol  
P (Note 1)  
Rating  
Unit  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
500  
150  
mW  
°C  
D
T
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the  
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated  
failure rate, etc).  
Note1: Mounted on an FR4 board. (total dissipation)  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad : 645 mm2 )  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
6
5
4
6
5
4
Q1  
Q2  
LL2  
1
2
3
1
2
3
1
2008-02-25  
1234567...9

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