2N5013

更新时间： 2024-01-17 21:59:09

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SSDI		晶体晶体管
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2页	74K
描述
0.5 AMP 800 - 1000 Volts NPN Transistor

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2N5013 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	800 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	7 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5013 数据手册

2N5013 thru 2N5015

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

0.5 AMP

DESIGNER’S DATA SHEET

800 – 1000 Volts

NPN Transistor

FEATURES:

• BVCER and BVCEO to 1000 volts

• Low Saturation Voltage

• Low Leakage at High Temperature

• High Gain, Low Saturation

• 200° C Operating, Gold Eutectic Die Attach

• 2N5010 thru 2N5012 Also Available, Contact Factory

• TX, TXV, and S-Level Screening Available

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

2N5013

2N5014

2N5015

800

900

1000

Collector – Emitter Voltage (RBE = 1KΩ)

V_CER

2N5013

2N5014

2N5015

800

900

1000

Collector – Base Voltage

V_CBO

Emitter – Base Voltage

Peak Collector Current

Peak Base Current

V_EBO

I_C

0.5

I_B

Total Device Dissipation @ TC = 100º C

2.0

mW/ºC

P_D

Derate above 100º C

-65 to +200

ºC

Operating and Storage Temperature

Thermal Resistance, Junction to Case

Tj, Tstg

R_θJC

ºC/W

CASE OUTLINE: TO-5

PIN 1: EMITTER

PIN 2: BASE

PIN 3: COLLECTOR

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

DATA SHEET #: TR0043A

DOC

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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