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SS8550

更新时间： 2024-11-19 14:53:55

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	586K
描述
双极型晶体管

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SS8550 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	25
Collector Current - Continuous：	1.5	DC current gain - Min：	85
DC current gain - Max：	400	Transition frequency：	100
Package：	TO-92	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

SS8550 数据手册

SS8550

Silicon Epitaxial Planar Transistor

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

SOT-23

Min

Dim

Max

3.10

1.50

2.70

EATURES

1.10

1.0 Typical

0.4 Typical

Collector Current.(I_C= 1.5A）

Complementary To SS8050.

Collector Dissipation: P_C=0.3W (T_C=25°C)

0.35

0.48

2.00

0.1

1.80

0.02

0.1 Typical

2.20

2.60

All Dimensions in mm

APPLICATIONS

High Collector Current.

ORDERING INFORMATION

Type No.

SS8550

Marking

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

-40

-25

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-6

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-1.5

P_C

0.3

℃

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55 to +150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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