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SS56C

更新时间： 2024-05-23 22:21:29

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友台半导体 - UMW		肖特基二极管
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描述
肖特基二极管

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SS56C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SMC	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.75 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	500 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL

SS56C 数据手册

UMW

SS52 THRU SS510

Features

•

Metal to silicon rectifier, majority

carrier conduction.

For use in low voltage, high

frequency inverters free

wheeling, and polarity

protection applications.

•

Low power loss, high efficiency.

High current capability, low V_F.

High surge capacity.

SMC/DO-214AB

Min

Glass passivated

Dim

Max

6.22

7.11

5.59

6.60

2.75

3.25

0.305

8.13

2.62

0.203

1.27

0.152

7.75

2.00

0.051

0.76

Schottky Rectifiers

All Dimensions in mm

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Value

52 53 54 55 56 58 510

Symbol

Parameter

Units

V_RRM

I_F(AV)

Maximum Repetitive Reverse Voltage

100

Average Rectified Forward Current

.375 " lead length @ T_A= 75°C

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

8.3 ms Single Half-Sine-Wave

5.0

I_FSM

150

Storage Temperature Range

-50 to +175

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

6.0

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics

T_A= 25°C unless otherwise noted

Device

Symbol

Parameter

Units

52 53 54 55 56 58 510

V_F

I_R

Forward Voltage @ 5.0 A

Reverse Current @ rated V_RT_A= 25°C

T_A= 100°C

0.55

0.67

0.5

0.85

C_T

Total Capacitance

500

380

V_R= 4.0 V, f = 1.0 MHz

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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