SS3P3HE3/85A

更新时间： 2024-11-20 09:06:15

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威世 - VISHAY		整流二极管
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描述
High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers

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SS3P3HE3/85A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.48 V
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	3 A
最大重复峰值反向电压：	30 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SS3P3HE3/85A 数据手册

New Product

SS3P3

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Schottky Barrier Rectifiers

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

eSMP^TMSeries

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power

losses

• High efficiency

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

DO-220AA (SMP)

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters,

freewheeling, dc-to-dc converters and polarity

protection applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

3 A

30 V

MECHANICAL DATA

Case: DO-220AA (SMP)

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

50 A

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

E_AS

V_F

11.25 mJ

0.43 V

150 °C

T_Jmax.

Polarity: Color band denotes the cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SS3P3

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current (Fig. 1)

V_RRM

I_F(AV)

3.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed

on rated load

I_FSM

Non-repetitive avalanche energy at T_J= 25 °C, I_AS= 1.5 A, L = 10 mH

Voltage rate of change (rated V_R)

E_AS

dV/dt

11.25

10 000

V/µs

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J,T_STG

- 55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

TEST CONDITIONS

SYMBOL

TYP.

MAX.

UNIT

I_F= 3 A

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

0.52

0.43

0.58

0.48

Maximum instantaneous forward voltage⁽¹⁾

V_F

T_J= 25 °C

T_J= 125 °C

200

µA

(2)

Maximum reverse current at rated V_R

I_R

9.0

Typical junction capacitance

4.0 V, 1 MHz

C_J

130

Notes:

(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle

(2) Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms

Document Number: 88944

Revision: 19-May-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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SS3P3HE3/85A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SS3P3HM3/85A	VISHAY	完全替代	DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS

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SS3P3L-G3/86A	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, GREEN, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier
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