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SS3H9-HE3/9AT

更新时间： 2024-11-19 15:52:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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SS3H9-HE3/9AT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AB
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.32
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS, LOW LEAKAGE CURRENT应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.65 V
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SS3H9-HE3/9AT 数据手册

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SS3H9, SS3H10  
Vishay General Semiconductor  
www.vishay.com  
High-Voltage Surface Mount Schottky Rectifier  
High Barrier Technology for Improved High Temperature Performance  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
• High surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
DO-214AB (SMC)  
• AEC-Q101 qualified  
• Material categorization: For definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
VF  
3.0 A  
90 V, 100 V  
100 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AB (SMC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified  
0.65 V  
IR  
20 μA  
TJ max.  
175 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HE3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS3H9  
MS9  
90  
SS3H10  
MS10  
100  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at: TL = 115 °C  
VRRM  
VRWM  
VDC  
V
V
V
A
90  
100  
90  
100  
IF(AV)  
3.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
100  
A
Peak repetitive reverse surge current at tp = 2.0 μs, 1 kHz  
Critical rate of rise of reverse voltage  
IRRM  
dV/dt  
1.0  
A
10 000  
V/μs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
Revision: 22-Mar-12  
Document Number: 88752  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS3H9HE3_A/H VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 P
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 P
SS3H9HE3-57T VISHAY

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SS3H9-M3 VISHAY

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 		Ideal for automated placement
SS3H9-M3/57T VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 90V V(RRM), Silicon, DO-214AB, HALOGEN
SS3J SUNMATE

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 		3A patch fast recovery diode 600V SMC series

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