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SS36HE3/9AT

更新时间： 2024-11-04 20:57:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
RECTIFIER DIODE

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SS36HE3/9AT 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.75 V
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：3 A
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

SS36HE3/9AT 数据手册

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SS32, SS33, SS34, SS35, SS36  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High surge capability  
Available  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of  
260 °C  
SMC (DO-214AB)  
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code: base P/NHE3 or P/NHM3  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V, 40 V, 50 V, 60 V  
100 A  
MECHANICAL DATA  
Case: SMC (DO-214AB)  
EAS  
20 mJ  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial  
grade  
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified  
VF  
0.5 V, 0.75 V  
150 °C  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
SMC (DO-214AB)  
Single  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3, M3, HE3, and HM3 suffix meets JESD 201 class 2  
whisker test  
Polarity: color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS32  
SS33  
S3  
SS34  
S4  
SS35  
S5  
SS36  
S6  
UNIT  
Device marking code  
S2  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
30  
40  
50  
60  
V
V
V
A
14  
21  
28  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current at TL (fig. 1)  
20  
30  
40  
50  
60  
IF(AV)  
3.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
100  
20  
A
Non-repetitive avalanche energy at TA = 25 °C,  
mJ  
IAS = 2.0 A, L = 10 mH  
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
°C  
-55 to +150  
-55 to +150  
TSTG  
°C  
Revision: 21-Jul-17  
Document Number: 88751  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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SS36HE3/9AT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SS36HE3_A/I VISHAY

完全替代

 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 P
SS36 ONSEMI

功能相似

 3.0 A 肖特基势垒整流器

与SS36HE3/9AT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS36-HE3/9AT VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COM
SS36HE3_A/H VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2 P
SS36HE3_A/I VISHAY

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