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SS25-M3/52T

更新时间： 2024-02-22 12:49:44
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

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SS25-M3/52T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMB, 2 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.6
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：75 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：50 V
最大反向电流：400 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SS25-M3/52T 数据手册

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SS22, SS23, SS24, SS25, SS26  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Low profile package  
• Ideal for automated placement  
• Guardring for overvoltage protection  
• Low power losses, high efficiency  
• Low forward voltage drop  
• High surge capability  
Available  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
SMB (DO-214AA)  
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code: base P/NHE3 or P/NHM3  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V, 30 V, 40 V, 50 V, 60 V  
75 A  
MECHANICAL DATA  
Case: SMB (DO-214AA)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
Base P/N-M3 - halogen-free, RoHS-compliant, commercial  
grade  
VF  
0.50 V, 0.70 V  
150 °C  
TJ max.  
Package  
Diode variations  
SMB (DO-214AA)  
Single  
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant and AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant, and  
AEC-Q101 qualified  
(“_X” denotes revision code e.g. A, B, .....)  
Terminals: matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3, M3, HE3, and HM3 suffix meets JESD 201 class 2  
whisker test  
Polarity: color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SS22  
SS23  
S3  
SS24  
S4  
SS25  
S5  
SS26  
S6  
UNIT  
Device marking code  
S2  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
20  
30  
40  
50  
60  
V
V
V
A
14  
21  
28  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
Max. average forward rectified current at TL (fig. 1)  
20  
30  
40  
50  
60  
IF(AV)  
2.0  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
EAS  
VC  
75  
20  
A
Non-repetitive avalanche energy at TA = 25 °C,  
mJ  
kV  
IAS = 2.0 A, L = 10 mH  
Electrostatic discharge capacitor voltage  
Human body model: C = 100 pF, R = 1.5 kΩ  
8.0  
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
°C  
-65 to +150  
-65 to +150  
TSTG  
°C  
Revision: 21-Jul-17  
Document Number: 88748  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SS25-M3/5BT VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 P

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