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SS16B PDF预览

SS16B

更新时间： 2024-01-03 11:40:31
品牌 Logo 应用领域
森美特 - SUNMATE /
页数 文件大小 规格书
2页 312K
描述
1A Patch Schottky diode 60V SMB series

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SS16B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SS16B 数据手册

 浏览型号SS16B的Datasheet PDF文件第2页 
SS12B - SS110B  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES  
VOLTAGE RANGE: 20 - 100V  
CURRENT: 1.0 A  
Features  
!
!
Schottky Barrier Chip  
Ideally Suited for Automatic Assembly  
!
Low Power Loss, High Efficiency  
!
!
!
For Use in Low Voltage Application  
Guard Ring Die Construction  
Plastic Case Material has UL Flammability  
B
SMB(DO-214AA)  
Classification Rating 94V-O  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Dim  
Min  
3.30  
4.06  
1.91  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
Max  
3.94  
4.70  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Mechanical Data  
A
B
C
D
E
G
H
J
A
C
!
!
Case: SMB/DO-214AA, Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated, Solderable  
per MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number  
D
!
!
!
J
Weight: 0.093 grams (approx.)  
G
H
All Dimensions in mm  
E
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
TA = 25ꢀC unless otherwise specified  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
SS18B SS110B  
Characteristic  
SS12B SS13B SS14B SS15B SS16B  
Unit  
Symbol  
20  
14  
20  
30  
21  
30  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
80  
56  
80  
100  
70  
VRRM  
VRMS  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
100  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TL(see fig.1)  
VDC  
I(AV)  
1.0  
A
A
Peak forward surge current  
IFSM  
VF  
40.0  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
0.45  
0.55  
0.70  
0.85  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
0.5  
mA  
IR  
TA=100 C  
6.0  
5.0  
90  
pF  
°C/W  
°C  
Typical junction capacitance (NOTE 1)  
CJ  
110  
JA  
Rꢀ  
Typical thermal resistance (NOTE 2)  
Operating junction temperature range  
88.0  
-65 to +150  
-65 to +150  
-65 to +125  
TJ,  
Storage temperature range  
°C  
TSTG  
Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2.P.C.B. mounted with 0.2x0.2”(5.0x5.0mm) copper pad areas  
www.sunmate.tw  
1 of 2  
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SS16E-T MCC

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 		Rectifier Diode,

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