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SS16 PDF预览

SS16

更新时间： 2024-02-12 16:48:57
品牌 Logo 应用领域
台冠 - TDD 二极管
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2页 172K
描述
SS16 SMA 1A 60V

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SS16 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.7 VJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SS16 数据手册

 浏览型号SS16的Datasheet PDF文件第2页 
SS12 - SS110  
1.0 AMP. Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers  
SMA/DO-214AC  
D A Y A  
- TDD-  
Features  
ꢀ
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ꢀ
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ꢀ
For surface mounted application  
Easy pick and place  
Metal to silicon rectifier, majority carrier conduction  
Low power loss, high efficiency  
High current capability, low VF  
High surge current capability  
Plastic material used carriers Underwriters  
Laboratory Classification 94V-0  
Epitaxial construction  
ꢀ
ꢀ
High temperature soldering:  
260oC / 10 seconds at terminals  
ꢀ
High reliability grade (AEC Q101 qualified)  
Mechanical Data  
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: JEDEC SMA/DO-214AC Molded plastic  
Terminals: Pure tin plated, lead free  
Polarity: Indicated by cathode band  
Packaging: 12mm tape per EIA STD RS-481  
Weight: 0.066 gram  
Dimensions in inches and (millimeters)  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol SS SS SS SS SS SS  
SS  
Type Number  
Units  
110  
12  
20  
14  
20  
13  
30  
21  
30  
14  
40  
28  
40  
15  
50  
35  
50  
16  
60  
42  
60  
19  
90  
63  
90  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
100  
70  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at TL(See Fig. 1)  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single  
Half Sine-wave Superimposed on Rated  
Load (JEDEC method )  
1.0  
30  
A
I(AV)  
A
IFSM  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
(Note 1)  
IF= 1.0A @ 25oC  
@ 100oC  
0.5  
0.4  
0.75  
0.65  
0.80  
0.70  
0.1  
2.0  
VF  
IR  
V
Maximum DC Reverse Current  
@ TA =25 oC at  
0.4  
mA  
mA  
Rated DC Blocking Voltage @ TA=125 oC  
10  
5.0  
Maximum DC Reverse Current at VR=33V  
& TA=50 oC  
Typical Junction Capacitance (Note 3)  
-
5.0  
uA  
pF  
HTIR  
Cj  
50  
Typical Thermal Resistance ( Note 2 )  
R
28  
88  
oC/W  
ΘJL  
R
θJA  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-65 to +125  
-65 to +150  
-65 to +150  
oC  
oC  
TSTG  
Notes:  
1. Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle  
2. Measured on P.C.Board with 0.2” x 0.2” (5.0mm x 5.0mm) Copper Pad Areas.  
3. Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.  
12

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