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SS150TC60110

更新时间： 2024-02-19 05:02:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	550K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 3 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon Carbide,

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技术参数
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SS150TC60110 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDFP-F6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	PD-CASE
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 3 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON CARBIDE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.8 V
JESD-30 代码：	R-PDFP-F6	元件数量：	3
相数：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
最大功率耗散：	60 W	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	50 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

SS150TC60110 数据手册

SS150TA60110, SS150TC60110, SS150TI60110

V_RRM= 600 V

Silicon Carbide Schottky Diode

I_F(AVG)

C_J

10 A

Part Number

V_RRM(V)

I_F(AVG)(A) Configuration

SS150TA60110

SS150TC60110

SS150TI60110

600

Triple Common Anode

= 120 pF

600

Triple Common Cathode

Triple Independent

600

Triple Anode (TA)

Triple Cathode (TC)

Triple Independent (TI)

A = Anode C = Cathode

Symbol Parameter per diode

Test Conditions Maximum Ratings

Features

 600 V SiC Schottky Diode

 Surface Mount Package

 Zero Reverse Recovery

V_RRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

Repetitive Surge Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

600

V_RSM

V_DC

 Zero Forward Recovery

 High Frequency Operation

 Temperature Independent Behavior

 Positive Temperature Coefficient for V

Average Forward Current

I_F(AVG)

I_FRM

I_FSM

T_VJ

T_J= 175°C

T_C= 25°C, t_P= 10 ms

Half Sine Wave

Repetitive Peak Forward Surge Current

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

Operating Virtual Junction Temperature

250

Applications

T_C= 25°C, t_P= 10 µs

Pulse

 MHz Switch Mode Power Supplies

 High Frequency Converters

 Resonant Converters

-55 to +175

°C

 Rectifier Circuits

T_STG

P_TOT

Storage Temperature

-55 to +175

°C

T_C= 25 °C (30 W/ per diode)

Symbol

Parameter

Test Conditions

Characteristic Values

T_J= 25°C unless otherwise specified

Typ.

Max. Units

Forward Voltage

V_F

I_F= 5 A, T_J= 25°C

T_J= 175°C

1.7

2.2

2.5

Reverse Current

I_R

V_R= 600 V, T_J= 25°C

T_J= 175°C

μA

200

Junction Capacitance

f = 1 MHz,

V_R= 0 V

V_R= 200 V

V_R= 600 V

600

130

120

C_J

Capacitive Charge

V_R= 600 V

1.7

°C/W

°C

Q_C

Thermal Resistance

R_THJC

Lead Soldering Temperature

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

T_L

Pin to Substrate

Isolation

>1800

>1500

RMS

Pin to Pin

Weight

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SS150TI60110	LITTELFUSE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 3 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon Carbide,	获取价格
SS150-W	RECTRON	Rectifier Diode,	获取价格
SS159	SECELECTRONICS	Unipolar Hall Switch-Low Sensitivity	获取价格
SS159_1311	SECELECTRONICS	Unipolar Hall Switch-Low Sensitivity	获取价格
SS159ESOT	SECELECTRONICS	Unipolar Hall Switch-Low Sensitivity	获取价格
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