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SRM20512LLTMT85

更新时间: 2024-02-13 06:42:33
品牌 Logo 应用领域
精工 - SEIKO 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 87K
描述
64KX8 STANDARD SRAM, 85ns, PDSO32, 8 X 18.40 MM, PLASTIC, TSOP1-32

SRM20512LLTMT85 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP32,.8,20针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:85 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

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