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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.000025 A | 子类别： | SRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SRM2017C25 | SEIKO | IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC |
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| SRM2017M10 | ETC | x8 SRAM |
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| SRM2017M12 | SEIKO | IC,SRAM,2KX8,CMOS,SOP,24PIN,PLASTIC |
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| SRM2017N10 | ETC | x8 SRAM |
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| SRM2017N12 | SEIKO | IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,PLASTIC |
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| SRM2018C10 | ETC | x8 SRAM |
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