SRF4427G

更新时间： 2024-11-07 03:31:11

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ADPOW		晶体射频和微波放大器射频双极晶体管光电二极管
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描述
RF AND MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS GENERAL RF AMPLIFIER APPLICATIONS

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SRF4427G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
集电极-发射极最大电压：	18 V	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SRF4427G 数据手册

140 COMMERCE DRIVE

MONTGOMERYVILLE, PA

18936-1013

PHONE: (215) 631-9840

FAX: (215) 631-9855

SRF4427

SRF4427G

* G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish

RF AND MICROWAVE DISCRETE LOW

POWER TRANSISTORS

GENERAL RF AMPLIFIER APPLICATIONS

Features

Low Cost SO-8 Plastic Surface Mount Package.

S-Parameter Characterization

Tape and Reel Packaging Options Available

Maximum Available Gain – 20dB(typ) @ 200MHz

DESCRIPTION:

Designed for general-purpose RF amplifier applications, such as pre-drivers and oscillators.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Vdc

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

4.0

400

Thermal Data

1.5

Watts

mW/ ºC

ºC

Total Device Dissipation @ TC = 25ºC

Derate above 25ºC

12.5

T_STG

Storage Temperature

-65 to + 150

125

ºC/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

qJA

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct.

Rev A 9/2005

12 3

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