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SRF4245

更新时间： 2024-09-22 21:55:15

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RF MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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SRF4245 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
配置：	Single	最小漏源击穿电压：	125 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13.9 A	最大漏极电流 (ID)：	13.9 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	215 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SRF4245 数据手册

SRF4245

RF MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The SRF4245 is Designed for class

AB HF/VHF Aplications up to 200 MH_Z

PACKAGE STYLE .500 4L FLG

FEATURES:

• P_G= 8 dB at 150 MHz

• Omnigold™ Metallization System

MAXIMUM RATINGS

13.9 A

125 V

± 30 V

I_D

V_(BR)DS

V_DGR

V_GS

215 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.70 (Typ) ^OC/W

P_DISS

T_J

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

V_{(BR) DSS}

TEST CONDITIONS

I_D= 100 mA

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

V_GS= 0 V

125

µA

V_DS= 50 V

V_GS= 20 V

V_GS= 10 V

V_DS= 10 V

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

I_D= 10 A

I_D= 5.0 A

I_DSS

I_GSS

V_FEDS(on)

G_FS

mhos

500

250

C_ISS

C_OSS

C_RSS

V_DS= 50 V

V_GS= 0 V

F = 1.0 MHz

F = 150 MH_Z

150

POUT

I_DQ= 250 mA

P^G

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV 0

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