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SRF1318

更新时间： 2024-11-27 03:31:11

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ASI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	23K
描述
NPN RF POWER TRANSISTOR

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SRF1318 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	最大集电极电流 (IC)：	1.7 A
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SRF1318 数据手册

SRF 1318

NPN RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION

PACKAGE STYLE 280 4L STUDLESS

The ASI SRF 1318 is a Common

Emitter Device Designed for Class C

Amplifier Applications up to 1 GHz.

FEATURES INCLUDE:

· High Gain

· Gold Metallization

· Emitter Ballasting

MAXIMUM RATINGS

I_C

1.7 A

V_CBO

P_DISS

T_J

36 V

15 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

12 ^OC/W

T_STG

q_JC

1 = Collector

2 & 4 = Emitter

3 = Base

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 50 mA

I_E= 2.0 mA

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

4.0

I_C= 200 mA

---

V_CB= 12.5 V

f = 1.0 MHz

C_OB

*P_G

* RF SPECIFICATIONS ARE CONTROLLED BY CUSTOMER DRAWING AND ARE PROPRIETARY.

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SRF15200CT	GXELECTRONICS	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SRF15200CT-15A-ITO-220AB	DGNJDZ	获取价格	SCHOTTKY BARRIER RECITIFIER