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SRA1060C0

更新时间： 2024-01-04 09:17:04

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TSC		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
4页	228K
描述
Schottky Barrier Rectifier

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SRA1060C0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.33	其他特性：	LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.7 V
JEDEC-95代码：	TO-220AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	170 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	60 V	最大反向电流：	500 µA
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SRA1060C0 数据手册

SRA1020 thru SRA10150

Taiwan Semiconductor

CREAT BY ART

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES

- Low power loss, high efficiency

- Guardring for overvoltage protection

- High surge current capability

- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and

in accordance to WEEE 2002/96/EC

- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TO-220AC

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AC

Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0

Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free

Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified

Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102

Meet JESD 201 class 1A whisker test,

with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test

Polarity: As marked

Mounting torque: 5 in-lbs maximum

Weight: 1.88 g (approximately)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

SRA

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

1020 1030 1040 1050 1060 1090 10100 10150

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

150

105

150

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward rectified current

I_F(AV)

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

170

Maximum instantaneous forward voltage (Note 2)

I_F=10A

V_F

0.55

0.70

0.85

0.95

0.5

0.1

Maximum reverse current @ Rated VR T_J=25 ℃

I_R

T_J=100 ℃

T_J=125℃

Voltage rate of change (Rated V_R)

Typical thermal resistance

10000

dV/dt

R_θJC

T_J

V/μs

^OC/W

^OC

Operating junction temperature range

Storage temperature range

- 55 to +125

- 55 to +150

^OC

T_STG

- 55 to +150

Note 1: tp = 2.0 μs, 1.0KHz

Note 2: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle

Document Number: DS_D1308052

Version: J13

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