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SR8100KV-C

更新时间： 2024-11-12 19:06:03
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Rectifier Diode,

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SR8100KV-C 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SR8100KV-C 数据手册

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SR840KV  
THRU  
SR8200KV  
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 40 to 200 Volts CURRENT 8.0 Amperes  
FEATURES  
* High reliability  
* Low switching loss  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High switching capability  
* P/N suffix V means AEC-Q101 qualified, e.g:SR840KV  
* P/N suffix V means Halogen-free  
D-PAK  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Case: D-PAK Molded plastic  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
1.+0  
.0-  
* Mounting: position: Any  
1
2
3
510.+  
.0-  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
HEATSINK  
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
SYMBOL  
SR860K  
60  
SR880K  
80  
SR8100K  
100  
SR8150K  
150  
SR8200K UNITS  
RATINGS  
SR850K  
50  
SR840K  
40  
28  
SR845K  
45  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
35  
50  
42  
56  
70  
105  
20  
40  
Maximum DC Blocking Voltage  
45  
60  
80  
100  
150  
200  
Maximum Average Forward Rectified Current  
at Derating Case Temperature  
IO  
8.0  
Amps  
Amps  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
I2T  
150  
A2S  
93.37  
Typical Current Squared Time  
R
R
60  
3
θ
θ
J A  
J C  
0C/W  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
CJ  
TJ  
700  
450  
pF  
0 C  
0 C  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
SR860K  
SR880K  
SR8100K  
SR8150K  
.85  
SR8200K  
SR850K  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 8.0A DC  
SYMBOL SR840K  
VF  
SR845K  
UNITS  
Volts  
mA  
.65  
.75  
@TA = 25oC  
Maximum Average Reverse Current  
0.2  
10  
IR  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 150oC  
mA  
NOTES : 1. Thermal Resistance : Heat-sink case mounted or if PCB mounted.  
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
3. "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
4. Suffix "R" for Reverse Polarity.  
2018-06  
REV: A  
5. Suffix "K" for D-PAK Pkg.  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SR8100L JINANJINGHENG

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 		LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SR8100L YANGJIE

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 		DO-201AD
SR8100L-DO-201AD JINANJINGHENG

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 		LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SR8100P RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 100 v;Forward Current Io : 8.0 A;Max Surge Current : 200 A;Forward Vo
SR8100P-T RECTRON

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 		暂无描述
SR8100PV RECTRON

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 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 8.0 A;Max Surge Current : 200 A;Forward Vo
SR8100P-W RECTRON

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 		暂无描述
SR8100R RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, ROHS CO
SR8100R GWSEMI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 100V V(RRM), Silicon, TO-220AC, TO-220A
SR8100R SEMTECH

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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