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SR705

更新时间： 2024-11-20 22:21:27
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POLYFET 晶体晶体管栅
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2页 38K
描述
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

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SR705 数据手册

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polyfet rf devices  
SR705  
General Description  
Silicon VDMOS and LDMOS  
transistors designed specifically  
for broadband RF applications.  
Suitable for Militry Radios,  
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE  
RF POWER VDMOS TRANSISTOR  
Cellular and Paging Amplifier Base  
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,  
Laser Driver and others.  
200.0 Watts Push - Pull  
Package Style AR  
TM  
"Polyfet" process features  
low feedback and output capacitances  
HIGH EFFICIENCY, LINEAR  
HIGH GAIN, LOW NOISE  
resulting in high F transistors with high  
t
input impedance and high efficiency.  
o
25 C )  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( T =  
Total  
Device  
Dissipation  
Junction to  
Case Thermal  
Resistance  
Maximum  
Junction  
Temperature  
DC Drain  
Current  
Drain to  
Gate  
Voltage  
Drain to  
Source  
Voltage  
Gate to  
Source  
Voltage  
Storage  
Temperature  
o
C/W  
o
o
o
24.0  
410 Watts  
200 C  
-65 C to 150 C  
A
70V  
70V  
20 V  
0.40  
RF CHARACTERISTICS (  
200.0 WATTS OUTPUT )  
SYMBOL PARAMETER  
MIN  
10  
TYP  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
Idq = 1.20 A, Vds = 28.0 V, F = 400  
Gps  
Common Source Power Gain  
Drain Efficiency  
MHz  
dB  
%
h
Idq =  
1.20  
55  
A, Vds = 28.0 V, F = 400 MHz  
Idq = 1.20  
A, Vds = 28.0 V, F = 400  
MHz  
VSWR  
Load Mismatch Tolerance  
20:1  
Relative  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( EACH SIDE )  
SYMBOL PARAMETER  
MIN  
65  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
TEST CONDITIONS  
Drain Breakdown Voltage  
Ids = 100.00 mA, Vgs = 0V  
Vds =  
Bvdss  
Idss  
5.0  
Zero Bias Drain Current  
Gate Leakage Current  
mA  
28.0 V, Vgs = 0V  
Igss  
Vgs  
1
7
uA  
V
Vds = 0V Vgs = 30V  
Gate Bias for Drain Current  
1
Ids = 0.50 A, Vgs = Vds  
6.0  
gM  
Forward Transconductance  
Saturation Resistance  
Mho  
Vds = 10V, Vgs = 5V  
Rdson  
Ohm  
Vgs = 20V, Ids =12.50 A  
0.20  
35.00  
250.0  
15.0  
Idsat  
Ciss  
Crss  
Coss  
Saturation Current  
Amp  
pF  
Vgs = 20V, Vds = 10V  
28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz  
Common Source Input Capacitance  
Common Source Feedback Capacitance  
Common Source Output Capacitance  
Vds =  
Vds =  
Vds =  
28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz  
28.0 Vgs = 0V, F = 1 MHz  
pF  
160.0  
pF  
REVISION 03/28/2001  
POLYFET RF DEVICES  
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com  
12

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与SR705相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SR7050C RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 50 V;Forward Current Io : 70 A;Max Surge Current : 600 A;Forward Volt
SR706 POLYFET

获取价格

 		SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SR7060C RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 60 V;Forward Current Io : 70 A;Max Surge Current : 600 A;Forward Volt
SR7080C RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 80 V;Forward Current Io : 70 A;Max Surge Current : 450 A;Forward Volt
SR70-LF PROTEC

获取价格

 		暂无描述
SR70-LF-T13 PROTEC

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 4 Element, Silicon, ROHS AND REACH COMPLIA
SR70-LF-T7 PROTEC

获取价格

 		STEERING DIODE ARRAY
SR70N0-26B1-180 MOLEX

获取价格

 		Board Connector, 70 Contact(s), 1 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, Crimp Terminal, Receptacl
SR70N0-26B1-M46 MOLEX

获取价格

 		Board Connector, 70 Contact(s), 1 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, Receptacle
SR70N0-26B2-M46 MOLEX

获取价格

 		Board Connector, 70 Contact(s), 1 Row(s), Male, 0.05 inch Pitch, Receptacle

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