是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | unknown |
Factory Lead Time: | 10 weeks | 风险等级: | 1.65 |
Samacsys Description: | MOSFET | 雪崩能效等级(Eas): | 245 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 93 A | 最大漏源导通电阻: | 0.019 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQM10250E | VISHAY |
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Automotive N-Channel 250 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQM1050 | TEMEX |
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Pin Diode, Silicon, CERAMIC, SMD4, 2 PIN | |
SQM10A | TTELEC |
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Radial ceramic case power resistor | |
SQM10AJB-0R1 | YAGEO |
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水泥电阻 | |
SQM10AJB-0R11 | YAGEO |
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水泥电阻 | |
SQM10AJB-0R12 | YAGEO |
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水泥电阻 | |
SQM10AJB-0R13 | YAGEO |
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水泥电阻 | |
SQM10AJB-0R15 | YAGEO |
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水泥电阻 | |
SQM10AJB-0R16 | YAGEO |
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水泥电阻 | |
SQM10AJB-0R18 | YAGEO |
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水泥电阻 |