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SQD50P04-13L-GE3

更新时间： 2024-11-18 20:09:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 152K
描述
TRANSISTOR 50 A, 40 V, 0.017 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3, FET General Purpose Power

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SQD50P04-13L-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：80 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SQD50P04-13L-GE3 数据手册

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SQD50P04-13L  
www.vishay.com  
Vishay Siliconix  
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
• TrenchFET® Power MOSFET  
• Package with Low Thermal Resistance  
• 100 % Rg and UIS Tested  
- 40  
0.013  
0.022  
- 50  
RDS(on) () at VGS = - 10 V  
RDS(on) () at VGS = - 4.5 V  
ID (A)  
Configuration  
Single  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
• AEC-Q101 Qualifiedd  
S
TO-252  
G
Drain Connected to Tab  
G
D
S
D
Top View  
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-252  
SQD50P04-13L-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
VDS  
- 40  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
20  
- 50  
TC = 25 °Ca  
TC = 125 °C  
Continuous Drain Current  
ID  
- 35  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Pulsed Drain Currentb  
IS  
- 50  
A
IDM  
IAS  
EAS  
- 200  
- 39  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
76  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 125 °C  
83  
Maximum Power Dissipationb  
PD  
27  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
50  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mountc  
°C/W  
Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
1.8  
Notes  
a. Package limited.  
b. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
c. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
d. Parametric verification ongoing.  
S11-2065-Rev. C, 24-Oct-11  
Document Number: 65157  
1
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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