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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 36 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SQ741 | POLYFET |
获取价格 |
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
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| SQ7414AEN | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SQ7414AEN_15 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7414AEN-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SQ7414AEN-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7414AENW | VISHAY |
获取价格 |
Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE |
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| SQ7414AENW-T1_GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SQ7414AENW-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
POWER, FET |
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| SQ7414CENW | VISHAY |
获取价格 |
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SQ7414EN | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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