是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Contact Manufacturer |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 65 V | 最大漏极电流 (ID): | 6.5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SQ721 | POLYFET |
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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | |
SQ741 | POLYFET |
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SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR | |
SQ7414AEN | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, | |
SQ7414AEN_15 | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ7414AEN-T1_GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, | |
SQ7414AEN-T1-GE3 | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ7414AENW | VISHAY |
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Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE | |
SQ7414AENW-T1_GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, | |
SQ7414AENW-T1-GE3 | VISHAY |
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POWER, FET | |
SQ7414CENW | VISHAY |
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Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |