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SQ4410EY-T1_GE3

更新时间： 2024-09-28 21:05:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 206K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SQ4410EY-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：20 weeks 1 day
风险等级：1.72配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.012 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：230 pFJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：5 W认证状态：Not Qualified
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SQ4410EY-T1_GE3 数据手册

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SQ4410EY  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• TrenchFET® Power MOSFET  
30  
• AEC-Q101 Qualified  
RDS(on) () at VGS = 10 V  
RDS(on) () at VGS = 4.5 V  
0.012  
0.020  
15  
• 100 % Rg and UIS Tested  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
ID (A)  
Configuration  
Single  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
Top View  
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SO-8  
SQ4410EY-T1-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
VDS  
30  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
20  
TC = 25 °C  
15  
Continuous Drain Current  
ID  
TC = 125 °C  
9
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Currenta  
IS  
4.5  
A
IDM  
IAS  
EAS  
60  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
38  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
72  
mJ  
W
5
1.6  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
T
C = 125 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to + 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
90  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mountb  
°C/W  
Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
30  
Notes  
a. Pulse test; pulse width 300 μs, duty cycle 2 %.  
b. When mounted on 1" square PCB (FR-4 material).  
S12-2200-Rev. D, 24-Sep-12  
Document Number: 65674  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...10

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SQ4410EY-T1_GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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