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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.38 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 340 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.38 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPPX6N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SPPXXN10 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SPPY5 | ALPS |
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50mA 48V DC Qualified Surface Mounting Type Telephone-hook |
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| SPPY520100 | ALPS |
获取价格 |
50mA 48V DC Qualified Surface Mounting Type Telephone-hook |
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| SPPY520200 | ALPS |
获取价格 |
50mA 48V DC Qualified Surface Mounting Type Telephone-hook |
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| SPQ0410HE5H-PB | KNOWLES |
获取价格 |
Slim UltraMini SiSonicTM Microphone Specification With Enhanced RF Protection-Halogen Free |
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| SPQ0410HR5H | KNOWLES |
获取价格 |
Digital to Analog Converter (DAC) PCB, Mic-On-Flex Assemblies |
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| SPQ0410HR5H-B | KNOWLES |
获取价格 |
Slim UltraMini SiSonicTM Microphone |
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| SPQ11RN40W | CAS-JUNSHINE |
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LV-SGT |
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| SPQ11RN40WP | CAS-JUNSHINE |
获取价格 |
LV-SGT |
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