SPP15N60CFD

更新时间： 2024-09-28 06:13:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode

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SPP15N60CFD 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	460 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13.4 A	最大漏极电流 (ID)：	13.4 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	156 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	33 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPP15N60CFD 数据手册

SPP15N60CFD

CoolMOS^TMPower Transistor

Product Summary

_DS@ Tjmax

R _DS(on),max

I _D

Features

650

0.330

13.4

Ω

• Intrinsic fast-recovery body diode

• Extremely low reverse recovery charge

• Ultra low gate charge

• Extreme dv /dt rated

PG-TO220

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

CoolMOS CFD designed for:

• Softswitching PWM Stages

• LCD & CRT TV

Type

Package

Marking

SPP15N60CFD

PG-TO220

15N60CFD

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

13.4

8.4

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

T _C=100 °C

T _C=25 °C

Continuous drain current

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

I _D=6.7 A, V _DD=50 V

I _D=13.4 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

460

Avalanche energy, repetitive^2),3)

Avalanche current, repetitive^2),3)

E _AR

I _AR

0.8

13.4

I _D=13.4 A,

Drain source voltage slope

dv /dt

V/ns

_DS=480 V, T _j=125 °C

Reverse diode dv /dt

dv /dt

V/ns

I _S=13.4 A, V _DS=480 V,

T _j=125 °C

600

Maximum diode commutation speed di /dt

A/µs

V _GS

±20

±30

Gate source voltage

static

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

156

-55 ... 150

Power dissipation

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M3 & 3.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 1.2

2007-08-28

12 3 4 5 6 7...12

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SPP15N60CFD 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPA20N65C3	INFINEON	类似代替	Cool MOS⑩ Power Transistor
STB15NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh? II
STF21NM60ND	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh™ II Powe

与SPP15N60CFD相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPP15N60CFD_09	INFINEON	获取价格	CoolMOS Power Transistor
SPP15N60CFDHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
SPP15N65C3	INFINEON	获取价格	CoolMOSTM Power Transistor Features High peak current capability
SPP15P06P	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
SPP15P10P	INFINEON	获取价格	SIPMOS Small-Signal-Transistor
SPP15P10P_09	INFINEON	获取价格	SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features P-Ch
SPP15P10PG	INFINEON	获取价格	SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features P-Ch
SPP15P10PGHKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
SPP15P10PH	INFINEON	获取价格	暂无描述
SPP15P10PHXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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