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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPP15N60C3
SPP15N60C3 PDF预览

SPP15N60C3

更新时间： 2024-09-27 22:34:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 264K
描述
Cool MOS⑩ Power Transistor

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SPP15N60C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.25其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：460 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.28 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：156 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：45 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPP15N60C3 数据手册

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SPP15N60C3, SPI15N60C3  
SPA15N60C3  
Final data  
Cool MOS™ Power Transistor  
V
@ T  
650  
0.28  
15  
V
Ω
A
DS  
jmax  
Feature  
R
DS(on)  
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
I
D
P-TO220-3-31  
P-TO262-3-1  
P-TO220-3-1  
• Periodic avalanche rated  
• Extreme dv/dt rated  
3
• Ultra low effective capacitances  
• Improved transconductance  
2
1
P-TO220-3-31  
• P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
SPP15N60C3  
SPI15N60C3  
SPA15N60C3  
P-TO220-3-1 Q67040-S4600  
P-TO262-3-1 Q67040-S4601  
P-TO220-3-31 Q67040-S4603  
15N60C3  
15N60C3  
15N60C3  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
SPP_I  
Unit  
SPA  
Continuous drain current  
I
A
D
1)  
T = 25 °C  
15  
9.4  
15  
C
1)  
T = 100 °C  
9.4  
C
Pulsed drain current, t limited by T  
I
D puls  
45  
45  
A
p
jmax  
Avalanche energy, single pulse  
E
460  
460  
mJ  
AS  
I =7.5A, V =50V  
D
DD  
2)  
E
Avalanche energy, repetitive t limited by T  
0.8  
0.8  
AR  
AR  
jmax  
I =15A, V =50V  
D
DD  
Avalanche current, repetitive t limited by T  
Gate source voltage static  
I
15  
15  
±20  
±30  
34  
A
V
AR  
jmax  
AR  
V
V
P
±20  
±30  
156  
GS  
GS  
tot  
Gate source voltage AC (f >1Hz)  
Power dissipation, T = 25°C  
W
C
Operating and storage temperature  
T , T  
-55...+150  
°C  
j
stg  
Page 1  
2003-07-01  
1234567...13

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与SPP15N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SPP15N60C3_09 INFINEON

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 		New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
SPP15N60C3XK INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
SPP15N60CFD INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor Features Intrinsic fast-recovery body diode
SPP15N60CFD_09 INFINEON

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SPP15N65C3 INFINEON

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