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SPM3221

更新时间： 2024-11-04 21:15:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 射频微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
IC,RF SWITCH,SINGLE,SPDT,GAAS,FP,6PIN,PLASTIC

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SPM3221 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.741dB压缩点：27 dBm
最大插入损耗：0.4 dB最小隔离度：27 dB
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：6准时：0.05 µs
最大工作频率：2500 MHz最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：FL6,.07,25电源：3 V
射频/微波设备类型：SPDT子类别：RF/Microwave Switches
表面贴装：YES技术：GAAS
最大电压驻波比：1.5Base Number Matches：1

SPM3221 数据手册

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Ordering number : ENA0232  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
GaAs MMIC  
SPM3221  
SPDT Switch  
Features  
•
High isolation.  
•
Low insertion loss.  
• Small package (MCPH6).  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Paramete  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Control Voltage  
Input Power  
V
6.0  
30  
CTL  
Pin  
Tstg  
Topr  
dBm  
°C  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
−55 to +150  
−40 to +85  
°C  
Recommended Control Voltage at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Unit  
min  
1.8  
−0.2  
max  
Control Voltage [H]  
Control Voltage [L]  
3
5
V
V
0
0.2  
Electrical Characteristics at Ta=25°C Control Voltage 1, 2 : 0 / +3.0V  
Ratings  
typ  
Parameter  
Conditions  
f=1GHz  
Unit  
min  
max  
0.35  
0.20  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
IN--OUT1, IN--OUT2  
f=2GHz  
0.25  
0.25  
30  
0.4  
0.4  
f=2.5GHz  
f=1GHz  
27  
28  
30  
Isolation  
IN--OUT1, IN--OUT2  
IN--OUT1, IN--OUT2  
f=2GHz  
32  
f=2.5GHz  
35  
VSWR  
f=1GHz to f=2.5GHz  
f=1GHz to f=2.5GHz  
f=1GHz to f=2.5GHz  
f=1GHz to f=2.5GHz  
1.1  
50  
1.5  
Switching Time  
100  
ns  
P
P
0.1dB  
1dB  
IN--OUT1, IN--OUT2  
IN--OUT1, IN--OUT2  
21  
24  
24  
dBm  
dBm  
IN  
27  
IN  
Marking : RR  
RR  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
92706MM MS IM TC-00000183 No. A0232-1/4  
1234

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