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SPM1001

更新时间： 2024-09-22 18:09:19

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SENSITRON		/
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描述
Power Bridge Modules (Power Modules)

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SPM1001 数据手册

SPM1001

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

Technical Data

DATASHEET 5361, Rev. -

THREE-PHASE IGBT BRIDGE with SiC DIODES,

BRAKE MOSFET and INTEGRATED BRAKE RESISTOR

DESCRIPTION:



600 VOLT, 50 AMP, THREE PHASE IGBT BRIDGE

SILICON CARBIDE (SiC) 20A 600V ANTI PARALLEL DIODES – ZERO RECOVERY AND NO

ADDITIONAL LOSSES ON COMPLIMENTARY IGBT



600V, 22A BRAKE MOSFET

INTEGRATED G-E AND G-S RESISTORS FOR HIGHER ESD IMMUNITY

INTEGRATED BRAKE RESISTOR WITH DIRECT HEAT TRANSFER TO BASE

RTD TO MONITOR MODULE TEMPERATURE

AlSiC BASE PLATE FOR HIGH TEMPERATURE CYCLING CAPABILITY

LOW PROFILE LIGHT WEIGHT PACKAGE

(631) 586 7600 FAX (631) 242 9798  www.sensitron.com  sales@sensitron.com  Page 1

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SPM10040T-100M-HZR	TDK	获取价格	SMD/SMT 电感器(线圈)
SPM10040T-150M-HZ	TDK	获取价格	General Purpose Inductor,
SPM10040T-150M-HZR	TDK	获取价格	SMD/SMT 电感器(线圈)
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SPM10040T-1R0M-HZ	TDK	获取价格	General Purpose Inductor,