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SPL2F94

更新时间： 2024-11-01 22:11:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光纤二极管激光二极管连接器放大器
页数 文件大小 规格书
6页 126K
描述
Laser Diode in TO-220 Package with FC-connector 0.75 W cw Class 4 Laser Product

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SPL2F94 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TO-220 WITH FC-CONNECTOR, 3 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.29Is Samacsys：N
主体宽度：10.6 mm主体高度：13.9 mm
主体长度或直径：16.5 mm内置特性：AMPLIFIER
连接类型：FC CONNECTOR光纤设备类型：LASER DIODE EMITTER
光纤类型：MMFJESD-609代码：e0
安装特点：PANEL MOUNT信道数量：1
最高工作温度：60 °C最低工作温度：-10 °C
最大工作波长：945 nm最小工作波长：935 nm
标称工作波长：940 nm封装形式：TO-220
光谱宽度：2 nm电源电流：2650 mA
标称供电电压：2 V表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)最小阈值电流：450 mA
Base Number Matches：1

SPL2F94 数据手册

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Laser Diode in TO-220 Package with FC-connector  
0.75 W cw (Class 4 Laser Product)  
SPL 2Fxx  
(SFH 4874x6)  
Features  
•
•
•
•
•
•
Efficient radiation source for pulsed and cw-operation  
Reliable InGa(Al)As strained quantum-well material  
Small TO-220 package with efficient thermal coupling  
Includes thermistor to control temperature/wavelength  
Single emitting area 200 µm × 1 µm  
FC-type connector for efficient fiber coupling  
Applications  
•
•
•
•
•
Pumping solid state lasers (Nd: YAG, Yb: YAG, …)  
Medical applications  
Laser soldering  
Energy transmission  
Testing and measuring applications  
Old Type  
Wavelength *)  
Ordering Code  
Type  
(as of Oct. 1996)  
SPL 2F81  
SPL 2F85  
SPL 2F94  
SFH 487406  
SFH 487426  
SFH 487446  
808 nm  
850 nm  
940 nm  
Q62702-P368  
Q62702-P1678  
Q62702-P1631  
*) Other wavelengths in the range of 780 nm ... 980 nm are available on request.  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C)  
Symbol  
Values  
Unit  
Parameter  
min.  
typ.  
–
max.  
0.8  
Output power (continuous wave) 1)  
Popt  
–
–
W
W
Output power (quasi-continuous wave) 1)  
Pqcw  
–
1.1  
(tp ≤ 150 µs, duty cycle ≤ 1%)  
Reverse voltage  
VR  
–
–
3
V
Operating temperature  
Storage temperature  
Top  
Tstg  
– 10  
– 40  
–
…
…
–
+ 60  
+ 70  
250  
°C  
°C  
°C  
Maximum soldering temperature, max. 5 s Ts  
1) Optical data refer to output after a fiber of 5 m length (core 125 µm, 0.35 NA, attn. 8 db/km)  
Semiconductor Group  
1
02.97  
123456

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