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SPI47N10L

更新时间: 2024-11-04 22:33:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 516K
描述
SIPMOS Power-Transistor

SPI47N10L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-262
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):400 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):47 A最大漏极电流 (ID):47 A
最大漏源导通电阻:0.04 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):175 W最大脉冲漏极电流 (IDM):188 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:MATTE TIN
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SPI47N10L 数据手册

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Preliminary data  
SPI47N10L  
SPP47N10L,SPB47N10L  
SIPMOS =Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
100  
26  
V
m
A
DS  
N-Channel  
Enhancement mode  
Logic Level  
R
DS(on)  
I
47  
D
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
175°C operating temperature  
Avalanche rated  
dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
47N10L  
47N10L  
47N10L  
SPP47N10L  
SPB47N10L  
SPI47N10L  
P-TO220-3-1 Q67040-S4177  
P-TO263-3-2 Q67040-S4176  
P-TO262-3-1 tbd  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
47  
33  
C
T =100°C  
C
188  
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
400  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =47 A , V =25V, R =25  
D
DD GS  
E
17.5  
6
Avalanche energy, periodic limited by T  
Reverse diode dv/dt  
AR  
jmax  
dv/dt  
kV/µs  
I =47A, V =0V, di/dt=200A/µs  
DS  
S
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
W
±20  
175  
GS  
P
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2001-08-24  

SPI47N10L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPI47N10SL-26 INFINEON

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