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SPFY9140VP

更新时间: 2024-02-05 09:33:36
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 296K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,

SPFY9140VP 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.68配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (ID):13 A
最大漏源导通电阻:0.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-257JESD-30 代码:R-MSFM-P3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:METAL封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SPFY9140VP 数据手册

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