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SPD21N05L

更新时间： 2024-11-11 22:42:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 146K
描述
SIPMOS Power Transistor

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SPD21N05L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.36其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：90 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：55 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPD21N05L 数据手册

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SPD21N05L  
SPU21N05L  
®
SIPMOS Power Transistor  
• N channel  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
• Avalanche-rated  
• dv/dt rated  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
• 175°C operating temperature  
G
D
S
Type  
Package  
P-TO252  
P-TO251  
Ordering Code  
VDS  
ID  
RDS(on  
)
SPD21N05L  
SPU21N05L  
55 V  
55 V  
20 A  
20 A  
0.07  
0.07  
W
Q67040 - S4137- A2  
Q67040 - S4131 - A2  
W
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Values  
Unit  
Continuous drain current  
I
A
D
T = 25 °C  
20  
14  
C
T = 100 °C  
C
Pulsed drain current  
I
Dpuls  
T = 25 °C  
80  
C
Avalanche energy, single pulse  
E
mJ  
AS  
W
I = 20 A, V = 25 V, R = 25  
D
DD  
GS  
L = 450 µH, T = 25 °C  
90  
20  
j
Avalanche current,limited by T  
I
A
jmax  
AR  
Avalanche energy,periodic limited by T  
E
5.5  
mJ  
jmax  
AR  
Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
kV/µs  
I = 20 A, V = 40 V, di /dt = 200 A/µs  
S
DS  
F
T
= 175 °C  
6
jmax  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
±
14  
V
GS  
P
W
tot  
T = 25 °C  
55  
C
Semiconductor Group  
1
29/Jan/1998  
12345678

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