Datasheet > SPD210TX

SPD210TX

更新时间： 2024-11-12 20:54:07

品牌	Logo	应用领域
SSDI		功效二极管
页数	文件大小	规格书
2页	148K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SPD210TX 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	E-XALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	E-XALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.025 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

SPD210TX 数据手册

SPD205 thru SPD230

and

SPD205SMS thru SPD230SMS

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

2.0 AMPS

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

50 ─ 300 VOLTS

25 ns HYPERFAST RECOVERY

RECTIFIER

SPD __ __ __

Screening ^2/

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV

│

└

│

└

FEATURES:

•

Hyper Fast Reverse Recovery: 25ns Maximum ^4/

PIV to 300 Volts

S = S Level

Package Type

__ = Axial Leaded

SMS = Surface Mount Square Tab

Hermetically Sealed

Low Forward Voltage Drop

Void Free Chip Construction

For High Efficiency Applications

Available in Axial & Square Tab Versions

TX, TXV, and S-Level Screening Available ^2/

Replacement for: 1N 5802, US thru 1N5806, US

Voltage/Family

205 = 50V

210 = 100V

220 = 200V

230 = 300V

MAXIMUM RATINGS ^3/

RATING

SYMBOL VALUE

UNIT

Peak Repetitive Reverse

Voltage

SPD205

SPD210

SPD220

SPD230

100

200

V_RRM

V_RWM

V_R

Volts

And

300

DC Blocking Voltage

2.0

Average Rectified Forward Current

Peak Surge Current

(Resistive Load, 60Hz, Sine Wave, T_A= 25°C)

I_O

Amps

I_FSM

(8.3ms pulse, half sine wave superimposed on Io, allow

junction to reach equilibrium between pulses, T_A= 25°C)

T_Jand

T_STG

-65 to +175

Operating & Storage Temperature

°C

Junction to Lead for Axial, L =.375"

Junction to End Tab for Surface Mount

R_θJL

R_θJE

Thermal Resistance

°C/W

NOTES:

Axial Leaded

SMS

1/ For Ordering Information, Price, Operating Curves, and Availability- Contact Factory.

2/ Screened to MIL-PRF-19500.

3/ Unless Otherwise Specified, All Electrical Characteristics @25ºC.

4/ I_F= 500mA, I_R= 1A, I_RR= 250mA, T_A= 25°C

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RH0099E

DOC

中文翻译

下载PDF

与SPD210TX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SPD210TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2
SPD2-150-1P0-R	LITTELFUSE	获取价格	Surge Protection Devices SPD2 1P0 SERIES
SPD2-150-1P1-R	LITTELFUSE	获取价格	浪涌保护设备（SPD）可针对持续若干微秒的过压事件为设备提供保护。通过限制设备在这些事件
SPD2-150-2P0-R	LITTELFUSE	获取价格	Surge Protection Devices SPD2 2P0 SERIES
SPD2-150-3P0-R	LITTELFUSE	获取价格	Surge Protection Devices
SPD2-150-4P0-R	LITTELFUSE	获取价格	浪涌保护设备（SPD）可针对持续若干微秒的瞬态过压为设备提供保护。通过限制设备在这些事件
SPD2-150-M	LITTELFUSE	获取价格	Surge Protection Devices SPD2 1P0 SERIES
SPD21N05L	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power Transistor
SPD220	SSDI	获取价格	2.0 AMPS 50 - 300 VOLTS 25 ns HYPERFAST RECOVERY RECTIFIER
SPD220S	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

与SPD210TX相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPD210TX

SPD210TX 技术参数

SPD210TX 数据手册

与SPD210TX相关器件

与SPD210TX相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SPD210TX

SPD210TX 技术参数

SPD210TX 数据手册

与SPD210TX相关器件

与SPD210TX相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？