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SPB42N03S2L-13 PDF预览

SPB42N03S2L-13

更新时间： 2024-11-18 22:15:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 542K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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SPB42N03S2L-13 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：110 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A最大漏极电流 (ID)：42 A
最大漏源导通电阻：0.0196 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：220
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：64 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：248 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SPB42N03S2L-13 数据手册

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SPI42N03S2L-13  
SPP42N03S2L-13 SPB42N03S2L-13  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
V
• N-channel  
R DS(on),max  
I D  
12.9  
42  
mΩ  
A
• Enhancement mode  
• Logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
P-TO262-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO220-3-1  
• 175 °C operating temperature  
• Avalanche rated  
• dv /dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
SPP42N03S2L-13  
SPB42N03S2L-13  
SPI42N03S2L-13  
P-TO220-3-1  
P-TO263-3-2  
P-TO262-3-1  
Q67042-S4034  
Q67042-S4035  
Q67042-S4104  
2N03L13  
2N03L13  
2N03L13  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
42  
42  
A
I D,pulse  
E AS  
Pulsed drain current  
248  
110  
8
I D=42 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
Repetitive avalanche energy  
mJ  
mJ  
2)  
E AR  
limited by T jmax  
I D=42 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
±20  
83  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 2.0  
page 1  
2004-06-04  
1234567...10

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