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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 7.82 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 726346 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | PG-TO263-3_FFW | Samacsys Released Date： | 2019-08-05 14:33:03 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 690 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 208 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 62.1 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SPU02N60C3 | INFINEON |
类似代替  |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPW20N60C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| SPW11N60C3 | INFINEON |
类似代替 |
Cool MOS™ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPB20N60C3_09 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor Feature new revolutionary high voltage technology |
|
| SPB20N60C3ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| SPB20N60S5 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPB20N60S5_05 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS Power Transistor |
|
| SPB20N60S5XT | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SPB21N10 | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power-Transistor |
|
| SPB21N10G | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SPB21N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPB21N50C3_05 | INFINEON |
获取价格 |
New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated |
|
| SPB-221PVW | ROHM |
获取价格 |
Dual Color LED, Red/pure Green, Milky White, 2mm |
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