是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.83 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.056 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SP8J2TB | ROHM |
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暂无描述 | |
SP8J3 | ROHM |
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4V Drive Pch+Pch MOS FET | |
SP8J3FU6TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SP8J3TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
SP8J4 | ROHM |
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Switching (−30V, −2.0A) | |
SP8J4TB | ROHM |
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暂无描述 | |
SP8J5 | ROHM |
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4V Drive Pch+Pch MOS FET | |
SP8J5TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SP8J65TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SP8K1 | ROHM |
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Switching (30V, 5.0A) |