是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.79 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.042 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e2 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SP8J2 | ROHM |
获取价格 |
Switching (−30V, −4.5A) | |
SP8J2TB | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 | |
SP8J3 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch+Pch MOS FET | |
SP8J3FU6TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SP8J3TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.09ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
SP8J4 | ROHM |
获取价格 |
Switching (−30V, −2.0A) | |
SP8J4TB | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 | |
SP8J5 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch+Pch MOS FET | |
SP8J5TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
SP8J65TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.029ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta |