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SP000010874

更新时间： 2024-09-16 21:13:39

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英飞凌 - INFINEON		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	523K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SP000010874 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	4000
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

SP000010874 数据手册

BCV26, BCV46

PNP Silicon Darlington Transistors

• For general AF applications

• High collector current

• High current gain

• Complementary types: BCV27, BCV47 (NPN)

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

Type

BCV26

BCV46

Marking

FDs

FEs

Pin Configuration

Package

SOT23

1=B

2=E

3=C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

BCV26

BCV46

CEO

CBO

EBO

Collector-base voltage

BCV26

BCV46

500

800

100

200

360

Emitter-base voltage

Collector current

Peak collector current, t ≤ 10 ms

Base current

Peak base current

Total power dissipation-

°C

tot

T ≤ 74 °C

150

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

2011-10-05

12 3 4 5 6 7

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