CXG1012N

更新时间： 2024-02-10 07:28:53

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索尼 - SONY		射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
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描述
High-Frequency SPDT Antenna Switch

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CXG1012N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
1dB压缩点：	29 dBm	构造：	COMPONENT
最大插入损耗：	0.8 dB	最小隔离度：	20 dB
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	8
准时：	0.1 µs	最大工作频率：	2000 MHz
最小工作频率：	1000 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-35 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	TSSOP8,.25	电源：	3 V
射频/微波设备类型：	SPDT	子类别：	RF/Microwave Switches
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压驻波比：	1.5
Base Number Matches：	1

CXG1012N 数据手册

CXG1012N

High-Frequency SPDT Antenna Switch

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Description

SSOP-8P-L01 (Plastic)

The CXG1012N is an antenna switch MMIC. This

IC is designed using the Sony’s GaAs J-FET process

and operates at a single positive power supply.

Features

• Single positive power supply operation

• Insertion loss

0.5 dB (Typ.) at 2.0 GHz

• Medium power switching

P1dB (Typ.)

29 dBm

33 dBm

at 2.0 GHz

VCTL (H)=3.0V

at 2.0 GHZ

Absolute Maximum Ratings (Ta=25 ˚C)

• Control voltage

Vctl

• Operating temperature Topr

–35 to +85

˚C

VCTL (H)=4.0 V

• Storage temperature

Tstg –65 to +150 ˚C

Application

Antenna switch for digital cordless telephones

Operating Condition

Control voltage

0/3

Structure

GaAs J-FET MMIC

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

—1—

E95444A57-TE

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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