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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | DFP, FL14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 26 weeks | 风险等级： | 5.32 |
| 系列： | ACT | JESD-30 代码： | R-GDFP-F14 |
| 长度： | 9.21 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 最大I（ol）： | 0.024 A |
| 功能数量： | 3 | 输入次数： | 3 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DFP | 封装等效代码： | FL14,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK |
| 包装方法： | TUBE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 0.08 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 10 ns | 传播延迟（tpd）： | 10 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度： | 2.03 mm |
| 子类别： | Gates | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.285 mm |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SNJ54ACT10W | TI | TRIPLE-3-INPUT PSITIVE-NAND GATES |
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| SNJ54ACT11000J | TI | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,ACT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
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| SNJ54ACT11002FK | TI | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,ACT-CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC |
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| SNJ54ACT11002J | TI | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,ACT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
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| SNJ54ACT11004FK | TI | IC,LOGIC GATE,HEX INVERTER,ACT-CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC |
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| SNJ54ACT11004FK | ROCHESTER | Inverter |
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