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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP14,.3 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 5.17 | 系列： | ACT |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 长度： | 19.56 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | AND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.024 A | 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 包装方法： | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 最大电源电流（ICC）： | 0.08 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup： | 10 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 10 ns | 认证状态： | Not Qualified |
| 施密特触发器： | NO | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 6.67 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SNJ54ACT08W | TI | QUADRUPLE 2-INPUT POSITIVE-AND GATES |
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| SNJ54ACT10FK | TI | TRIPLE-3-INPUT PSITIVE-NAND GATES |
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| SNJ54ACT10J | TI | TRIPLE-3-INPUT PSITIVE-NAND GATES |
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| SNJ54ACT10W | TI | TRIPLE-3-INPUT PSITIVE-NAND GATES |
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| SNJ54ACT11000J | TI | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NAND,ACT-CMOS,DIP,16PIN,CERAMIC |
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| SNJ54ACT11002FK | TI | IC,LOGIC GATE,QUAD 2-INPUT NOR,ACT-CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC |
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