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SN74S40DR

更新时间: 2024-02-24 04:58:18
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德州仪器 - TI 输入元件
页数 文件大小 规格书
6页 199K
描述
S SERIES, DUAL 4-INPUT NAND GATE, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14

SN74S40DR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP14,.3针数:14
Reach Compliance Code:not_compliantHTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:1 week风险等级:8.43
系列:SJESD-30 代码:R-PDIP-T14
长度:19.305 mm负载电容(CL):50 pF
逻辑集成电路类型:NAND GATE功能数量:2
输入次数:4端子数量:14
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP14,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V最大电源电流(ICC):44 mA
传播延迟(tpd):6.5 ns认证状态:Not Qualified
施密特触发器:NO座面最大高度:5.08 mm
子类别:Gates最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:TTL
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm

SN74S40DR 数据手册

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SN5440, SN54LS40, SN54S40  
SN7440, SN74LS40, SN74S40  
DUAL 4-INPUT POSITIVE-NAND BUFFERS  
SDLS108 – APRIL 1985 – REVISED MARCH 1988  
Copyright 1988, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 DALLAS, TEXAS 75265  

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