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SN74LVC3G34DCTR

更新时间： 2024-11-15 22:29:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极逻辑集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 317K
描述
TRIPLE BUFFER GATE

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SN74LVC3G34DCTR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LSSOP, SSOP8,.16针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.47系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
长度：2.95 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：BUFFER最大I（ol）：0.032 A
湿度敏感等级：1功能数量：3
输入次数：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装等效代码：SSOP8,.16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
最大电源电流（ICC）：0.01 mAProp。Delay @ Nom-Sup：4.1 ns
传播延迟（tpd）：7.9 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.3 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.65 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：2.8 mmBase Number Matches：1

SN74LVC3G34DCTR 数据手册

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SCES366H − AUGUST 2001 − REVISED SEPTEMBER 2003  
DCT OR DCU PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D
Available in the Texas Instruments  
NanoStarand NanoFreePackages  
D
D
D
D
D
D
Supports 5-V V  
Operation  
CC  
1A  
3Y  
2A  
V
CC  
1
2
3
4
8
7
6
5
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
1Y  
3A  
2Y  
Max t of 4.1 ns at 3.3 V  
pd  
Low Power Consumption, 10-µA Max I  
GND  
CC  
24-mA Output Drive at 3.3 V  
YEA, YEP, YZA, OR YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
Typical V  
<0.8 V at V  
(Output Ground Bounce)  
= 3.3 V, T = 25°C  
OLP  
CC  
A
D
D
D
D
Typical V  
(Output V  
Undershoot)  
4 5  
3 6  
2 7  
1 8  
OHV  
OH  
GND  
2A  
3Y  
2Y  
3A  
1Y  
>2 V at V  
= 3.3 V, T = 25°C  
CC  
A
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
1A  
V
CC  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model (A114-A)  
− 200-V Machine Model (A115-A)  
− 1000-V Charged-Device Model (C101)  
description/ordering information  
This triple buffer gate is designed for 1.65-V to 5.5-V V  
function Y = A in positive logic.  
operation. The SN74LVC3G34 performs the Boolean  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
T
A
PACKAGE  
‡
NanoStar− WCSP (DSBGA)  
0.17-mm Small Bump − YEA  
SN74LVC3G34YEAR  
SN74LVC3G34YZAR  
SN74LVC3G34YEPR  
SN74LVC3G34YZPR  
NanoFree− WCSP (DSBGA)  
0.17-mm Small Bump − YZA (Pb-free)  
Reel of 3000  
_ _ _C9_  
NanoStar− WCSP (DSBGA)  
0.23-mm Large Bump − YEP  
−40°C to 85°C  
NanoFree− WCSP (DSBGA)  
0.23-mm Large Bump − YZP (Pb-free)  
SSOP − DCT  
Reel of 3000  
Reel of 3000  
SN74LVC3G34DCTR  
SN74LVC3G34DCUR  
C34_ _ _  
C34_  
VSSOP − DCU  
Reel of 250  
SN74LVC3G34DCUT  
†
‡
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are available at  
www.ti.com/sc/package.  
DCT: The actual top-side marking has three additional characters that designate the year, month, and assembly/test site.  
DCU: The actual top-side marking has one additional character that designates the assembly/test site.  
YEA/YZA, YEP/YZP: The actual top-side marking has three preceding characters to denote year, month, and sequence code,  
and one following character to designate the assembly/test site. Pin 1 identifier indicates solder-bump composition  
(1 = SnPb, • = Pb-free).  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NanoStar and NanoFree are trademarks of Texas Instruments.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74LVC3G34DCTR 替代型号

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SN74LVC3G34DCTRG4 TI

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