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SN74LVC2G34DBVT

更新时间： 2024-01-03 06:12:29

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德州仪器 - TI		栅极触发器逻辑集成电路光电二极管 PC
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DUAL BUFFER GATE

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SN74LVC2G34DBVT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	GREEN, DSBGA-6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.64
Is Samacsys：	N	系列：	LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：	R-XBGA-B6	JESD-609代码：	e1
长度：	1.4 mm	逻辑集成电路类型：	BUFFER
湿度敏感等级：	1	功能数量：	2
输入次数：	1	端子数量：	6
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	传播延迟（tpd）：	8.6 ns
座面最大高度：	0.5 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	0.9 mm	Base Number Matches：	1

SN74LVC2G34DBVT 数据手册

SN74LVC2G34

DUAL BUFFER GATE

www.ti.com

SCES359F–AUGUST 2001–REVISED APRIL 2005

FEATURES

DBV, DCK, OR DRL PACKAGE

(TOP VIEW)

•

Available in the Texas Instruments

NanoStar™ and NanoFree™ Packages

GND

•

Supports 5-V V_CCOperation

Inputs Accept Voltages to 5.5 V

Max t_pdof 4.1 ns at 3.3 V

Low Power Consumption, 10-µA Max I_CC

24-mA Output Drive at 3.3 V

YEA, YEP, YZA, OR YZP PACKAGE

(BOTTOM VIEW)

Typical V_OLP(Output Ground Bounce) < 0.8 V

at V_CC= 3.3 V, T_A= 25 C

GND

•

Typical V_OHV(Output V_OHUndershoot) > 2 V

at V_CC= 3.3 V, T_A= 25 C

I_offSupports Partial-Power-Down Mode

Operation

Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per

JESD 78, Class II

ESD Protection Exceeds JESD 22

– 2000-V Human-Body Model (A114-A)

– 200-V Machine Model (A115-A)

– 1000-V Charged-Device Model (C101)

DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION

This dual buffer gate is designed for 1.65-V to 5.5-V V_CCoperation. The SN74LVC2G34 performs the Boolean

function Y = A in positive logic.

NanoStar™ and NanoFree™ package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the

die as the package.

This device is fully specified for partial-power-down applications using I_off. The I_offcircuitry disables the outputs,

preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas

Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.

NanoStar, NanoFree are trademarks of Texas Instruments.

PRODUCTION DATA information is current as of publication date.

Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not

necessarily include testing of all parameters.

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SN74LVC2G34DBVT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SN74LVC2G34DBVRG4	TI	完全替代	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DBVRE4	TI	完全替代	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DBVR	TI	类似代替	DUAL BUFFER GATE

与SN74LVC2G34DBVT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SN74LVC2G34DBVTG4	TI	获取价格	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DCK	TI	获取价格	NON-INVERT GATE
SN74LVC2G34DCK3	TI	获取价格	2 通道、1.65V 至 5.5V 缓冲器 \| DCK \| 6 \| -40 to 85
SN74LVC2G34DCKR	TI	获取价格	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DCKR	UMW	获取价格	逻辑集成电路
SN74LVC2G34DCKRE4	TI	获取价格	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DCKRG4	TI	获取价格	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DCKT	TI	获取价格	DUAL BUFFER GATE
SN74LVC2G34DRL	TI	获取价格	NON-INVERT GATE
SN74LVC2G34DRLR	TI	获取价格	DUAL BUFFER GATE

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