是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | VSSOP, TSSOP8,.12,20 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 0.85 |
系列: | LVC/LCX/Z | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 2.3 mm |
负载电容(CL): | 50 pF | 逻辑集成电路类型: | NAND GATE |
最大I(ol): | 0.032 A | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 2 | 输入次数: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.12,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 包装方法: | TR |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
最大电源电流(ICC): | 0.01 mA | Prop。Delay @ Nom-Sup: | 4.3 ns |
传播延迟(tpd): | 8.6 ns | 认证状态: | Not Qualified |
施密特触发器: | NO | 座面最大高度: | 0.9 mm |
子类别: | Gates | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 2 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NC7WZ00K8X | ONSEMI |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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