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SN74LVC1G58DRYR PDF预览

SN74LVC1G58DRYR

更新时间： 2024-02-09 18:35:09
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 触发器逻辑集成电路光电二极管栅
页数 文件大小 规格书
24页 1156K
描述
Configurable Multiple-Function Gate

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SN74LVC1G58DRYR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA6,2X3,20针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.03系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-XBGA-B6JESD-609代码：e1
长度：1.4 mm负载电容（CL）：50 pF
逻辑集成电路类型：LOGIC CIRCUIT最大I（ol）：0.032 A
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：6最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA6,2X3,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 VProp。Delay @ Nom-Sup：6.3 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：YES
座面最大高度：0.5 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：0.9 mm
Base Number Matches：1

SN74LVC1G58DRYR 数据手册

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SN74LVC1G58  
www.ti.com  
SCES415N –NOVEMBER 2002–REVISED DECEMBER 2013  
Configurable Multiple-Function Gate  
Check for Samples: SN74LVC1G58  
1
FEATURES  
DESCRIPTION  
This configurable multiple-function gate is designed  
for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.  
2
•
Available in the Texas Instruments NanoFree™  
Package  
The SN74LVC1G58 device features configurable  
multiple functions. The output state is determined by  
eight patterns of 3-bit input. The user can choose the  
logic functions AND, OR, NAND, NOR, XOR, inverter,  
and noninverter. All inputs can be connected to VCC  
or GND.  
•
•
•
•
•
•
•
Supports 5-V VCC Operation  
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
Supports Down Translation to VCC  
Max tpd of 6.3 ns at 3.3 V  
Low Power Consumption, 10-µA Max ICC  
±24-mA Output Drive at 3.3 V  
This device functions as an independent gate, but  
because of Schmitt action, it may have different input  
threshold levels for positive-going (VT+) and negative-  
going (VT–) signals.  
Ioff Supports Live Insertion, Partial-Power-  
Down Mode, and Back-Drive Protection  
•
•
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
NanoFree™ package technology is  
a
major  
breakthrough in IC packaging concepts, using the die  
as the package.  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
–
–
–
2000-V Human-Body Model (A114-A)  
200-V Machine Model (A115-A)  
This device is fully specified for partial-power-down  
applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the  
outputs, preventing damaging current backflow  
through the device when it is powered down.  
1000-V Charged-Device Model (C101)  
DBV PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DCK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DRL PACKAGE  
(TOP VIEW)  
YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
3
4
Y
V
In0  
GND  
In1  
1
2
3
6
In1  
GND  
In0  
In2  
V
In1  
GND  
In0  
In2  
V
1
2
3
6
1
2
3
6
In1  
GND  
In0  
In2  
V
2 5  
CC  
5
4
CC  
5
4
CC  
1
6
In2  
Y
CC  
5
4
Y
Y
DRY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DSF PACKAGE  
(TOP VIEW)  
1
2
3
6
5
4
ln2  
ln1  
GND  
ln0  
1
2
3
6
5
4
ln1  
ln2  
VCC  
Y
VCC  
Y
See mechanical drawings for dimensions.  
GND  
ln0  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
2
NanoFree is a trademark of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2002–2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
 
1234567...24

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SN74LVC1G58DRYR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74LVC1G58DRY2 TI

完全替代

 Configurable Multiple-Function Gate

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SN74LVC1G58DSF2 TI

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