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Datasheet > 逻辑 > 栅极> SN74LVC1G04YEPR
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SN74LVC1G04YEPR

更新时间： 2024-11-01 23:11:03
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德州仪器 - TI /
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17页 454K
描述
SINGLE INVERTER

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SN74LVC1G04YEPR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：VFBGA, BGA5,2X3,20
针数：5Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.51系列：LVC/LCX/Z
JESD-30 代码：R-PBGA-B5长度：1.4 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：INVERTER
最大I（ol）：0.024 A功能数量：1
输入次数：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA5,2X3,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH包装方法：TAPE AND REEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：4.2 ns传播延迟（tpd）：7.5 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：0.5 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：0.9 mm

SN74LVC1G04YEPR 数据手册

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SN74LVC1G04  
SINGLE INVERTER GATE  
www.ti.com  
SCES214S–APRIL 1999–REVISED OCTOBER 2005  
FEATURES  
•
Available in the Texas Instruments  
NanoStar™ and NanoFree™ Packages  
•
•
•
Ioff Supports Partial-Power-Down Mode  
Operation  
•
•
•
•
•
Supports 5-V VCC Operation  
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
Inputs Accept Voltages to 5.5 V  
Max tpd of 3.3 ns at 3.3 V  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
– 2000-V Human-Body Model (A114-A)  
– 200-V Machine Model (A115-A)  
Low Power Consumption, 10-µA Max ICC  
±24-mA Output Drive at 3.3 V  
– 1000-V Charged-Device Model (C101)  
DBV PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DCK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DRL PACKAGE  
(TOP VIEW)  
NC  
A
V
Y
1
2
3
5
1
2
3
5
NC  
A
V
CC  
CC  
1
2
3
5
NC  
A
V
Y
CC  
4
GND  
Y
4
GND  
4
GND  
YEA, YEP, YZA, OR YZP PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
YZV PACKAGE  
(BOTTOM VIEW)  
3
4
2
3
Y
Y
V
GND  
A
GND  
A
2
1
1
4
CC  
5
DNU  
V
CC  
DNU − Do not use  
See mechanical drawings for dimensions.  
DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION  
This single inverter gate is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.  
The SN74LVC1G04 performs the Boolean function Y = A.  
NanoStar™ and NanoFree™ package technology is a major breakthrough in IC packaging concepts, using the  
die as the package.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs,  
preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NanoStar, NanoFree are trademarks of Texas Instruments.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright © 1999–2005, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
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