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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> SN74CBTLV3861DBQR
SN74CBTLV3861DBQR PDF预览

SN74CBTLV3861DBQR

更新时间： 2024-11-25 04:28:03
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德州仪器 - TI 开关
页数 文件大小 规格书
14页 493K
描述
LOW-VOLTAGE 10-BIT FET BUS SWITCH

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SN74CBTLV3861DBQR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SSOP, SSOP24,.24针数：24
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.95其他特性：TTL COMPATIBLE BUS SWITCH
控制类型：ENABLE LOW计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：CBTLV/3BJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e4长度：8.65 mm
逻辑集成电路类型：BUS DRIVER湿度敏感等级：2
位数：10功能数量：1
端口数量：2端子数量：24
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SSOP
封装等效代码：SSOP24,.24封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH包装方法：TR
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3 V
最大电源电流（ICC）：0.01 mAProp。Delay @ Nom-Sup：0.25 ns
传播延迟（tpd）：0.25 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.64 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED翻译：N/A
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

SN74CBTLV3861DBQR 数据手册

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SCDS041H − DECEMBER 1997 − REVISED OCTOBER 2003  
DBQ, DGV, DW, NS, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D
D
D
D
D
5-Ω Switch Connection Between Two Ports  
Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports  
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
1
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
NC  
A1  
V
CC  
off  
Operation  
2
OE  
B1  
B2  
B3  
B4  
B5  
B6  
B7  
B8  
B9  
B10  
3
A2  
A3  
A4  
A5  
Flow-Through Architecture Optimizes PCB  
Layout  
4
5
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per  
JESD 78, Class II  
6
7
A6  
A7  
A8  
A9  
8
description/ordering information  
9
The SN74CBTLV3861 provides ten bits of  
high-speed bus switching. The low on-state  
resistance of the switch allows connections to be  
made with minimal propagation delay.  
10  
11  
12  
A10  
GND  
NC − No internal connection  
The device is organized as one 10-bit bus switch.  
When output enable (OE) is low, the 10-bit bus  
switch is on, and port A is connected to port B.  
When OE is high, the switch is open, and the  
high-impedance state exists between the two  
ports.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using I . The I feature ensures that  
off  
off  
damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during  
power off.  
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to V  
resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.  
through a pullup  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
PACKAGE  
T
A
QSOP − DBQ  
SOIC − DW  
Tape and reel  
Tube  
SN74CBTLV3861DBQR  
SN74CBTLV3861DW  
SN74CBTLV3861DWR  
SN74CBTLV3861NSR  
SN74CBTLV3861PWR  
SN74CBTLV3861DGVR  
CL861  
CBTLV3861  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tape and reel  
−40°C to 85°C  
SOP − NS  
CBTLV3861  
CL861  
TSSOP − PW  
TVSOP − DGV  
CL861  
†
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design  
guidelines are available at www.ti.com/sc/package.  
FUNCTION TABLE  
INPUT  
FUNCTION  
OE  
L
A port = B port  
Disconnect  
H
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...14

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SN74CBTLV3861DBQR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74CBTLV3861NSR TI

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完全替代

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