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SN74CBTLV3245ARGYR PDF预览

SN74CBTLV3245ARGYR

更新时间： 2024-11-09 04:48:59
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德州仪器 - TI 开关
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11页 367K
描述
LOW-VOLTAGE OCTAL FET BUS SWITCH

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SN74CBTLV3245ARGYR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：QFN
包装说明：HVQCCN, LCC20/24,.14X.18,20针数：20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：1.41其他特性：WITH DIRECTION CONTROL
控制类型：ENABLE LOW计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：CBTLV/3BJESD-30 代码：R-PQCC-N20
JESD-609代码：e4长度：4.5 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：BUS DRIVER
湿度敏感等级：2位数：8
功能数量：1端口数量：2
端子数量：20最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出特性：3-STATE
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVQCCN封装等效代码：LCC20/24,.14X.18,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：TR峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V最大电源电流（ICC）：0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：0.25 ns传播延迟（tpd）：0.25 ns
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
子类别：Bus Driver/Transceivers最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.5 mmBase Number Matches：1

SN74CBTLV3245ARGYR 数据手册

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SCDS034L − JULY 1997 − REVISED OCTOBER 2003  
D
D
D
D
Standard ’245-Type Pinout  
D
D
Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per  
JESD 17  
5-Ω Switch Connection Between Two Ports  
Rail-to-Rail Switching on Data I/O Ports  
ESD Protection Exceeds JESD 22  
− 2000-V Human-Body Model (A114-A)  
− 200-V Machine Model (A115-A)  
I
Supports Partial-Power-Down Mode  
off  
Operation  
DBQ, DGV, DW, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
RGY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
1
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NC  
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OE  
B1  
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B4  
B5  
B6  
B7  
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A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
GND  
10  
11  
NC − No internal connection  
NC − No internal connection  
description/ordering information  
The SN74CBTLV3245A provides eight bits of high-speed bus switching in a standard ’245 device pinout. The  
low on-state resistance of the switch allows connections to be made with minimal propagation delay.  
The device is organized as one 8-bit switch. When output enable (OE) is low, the 8-bit bus switch is on,  
and port A is connected to port B. When OE is high, the switch is open, and the high-impedance state exists  
between the two ports.  
This device is fully specified for partial-power-down applications using I . The I feature ensures that  
off  
off  
damaging current will not backflow through the device when it is powered down. The device has isolation during  
power off.  
To ensure the high-impedance state during power up or power down, OE should be tied to V  
resistor; the minimum value of the resistor is determined by the current-sinking capability of the driver.  
through a pullup  
CC  
ORDERING INFORMATION  
ORDERABLE  
PART NUMBER  
TOP-SIDE  
MARKING  
†
PACKAGE  
T
A
QFN − RGY  
SOIC − DW  
Tape and reel  
SN74CBTLV3245ARGYR  
SN74CBTLV3245ADW  
SN74CBTLV3245ADWR  
SN74CBTLV3245ADBQR  
SN74CBTLV3245APWR  
SN74CBTLV3245ADGVR  
CL245A  
Tube  
CBTLV3245A  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tape and reel  
Tape and reel  
−40°C to 85°C  
SSOP (QSOP) − DBQ  
TSSOP − PW  
CBTLV3245A  
CL245A  
TVSOP − DGV  
CL245A  
†
Package drawings, standard packing quantities, thermal data, symbolization, and PCB design guidelines are  
available at www.ti.com/sc/package.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
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Copyright 2003, Texas Instruments Incorporated  
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1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
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SN74CBTLV3245ARGYR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SN74CBTLV3245APWG4 TI

完全替代

 LOW-VOLTAGE OCTAL FET BUS SWITCH
74CBTLV3245ADWG4 TI

完全替代

 LOW-VOLTAGE OCTAL FET BUS SWITCH
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